BUK7535-55A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK7535-55A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK7535-55A

BUK7535-55A Datasheet (PDF)

..1. Size:313K philips
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BUK7535-55A; BUK7635-55ATrenchMOS standard level FETRev. 01 10 November 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK7535-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK7635-55A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS te

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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7535-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 34 Afeatures very low on-state

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BUK7535-100A;BUK7635-100ATrenchMOS standard level FETRev. 01 02 February 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK7535-100A in SOT78 (TO-220AB)BUK7635-100A in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS

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