2N6784 Todos los transistores

 

2N6784 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6784

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 8.6 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6784

 

2N6784 Datasheet (PDF)

1.1. 2n6784u.pdf Size:176K _update-mosfet

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/556 DEVICES LEVELS 2N6784 2N6784U JAN JANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C u

1.2. 2n6784 irff210.pdf Size:130K _international_rectifier

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PD - 90424C IRFF210 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6784 HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6784 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF210 200V 1.5Ω 2.25A The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin

 1.3. 2n6784u.pdf Size:176K _microsemi

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/556 DEVICES LEVELS 2N6784 2N6784U JAN JANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C u

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