2SB332H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB332H

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO36

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2SB332H datasheet

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2SB332H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.29V(Typ.) @I = -4A CE(sat) C High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

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