2SB333 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB333
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO36
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SB333
2SB333 Datasheet (PDF)
9.1. Size:210K inchange semiconductor
2sb337.pdf
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isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
