2SB334 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB334
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
Tensión emisor-base (Veb): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO36
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SB334
2SB334 Datasheet (PDF)
2sb337.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SB1669-Z | D7C1 | 2SA1678 | 2SB904Q | AC180VII | 2SB828Q
History: 2SB1669-Z | D7C1 | 2SA1678 | 2SB904Q | AC180VII | 2SB828Q
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050