2SB40 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB40

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO1

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2SB40 datasheet

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2SB40

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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