2SB40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB40
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO1
- Selección de transistores por parámetros
2SB40 Datasheet (PDF)
2sb407.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -30V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -6ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: GT109I | BFS91A | TN3906R | FJC1308 | SRC1211E | 2SA1802A | 2SD1504
History: GT109I | BFS91A | TN3906R | FJC1308 | SRC1211E | 2SA1802A | 2SD1504



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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