2SB442 Todos los transistores

 

2SB442 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB442
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB442 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB442

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,switching and DC-DCconverters appl

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
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