2SB447 Todos los transistores

 

2SB447 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB447
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 220 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.7 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SB447 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB447

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,switching and DC-DCconverters appl

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History: 2SC3112B | SS30101-Q

 

 
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