2SB46 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB46
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: TO1
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2SB46 datasheet
2sb468.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection power output applications.
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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