2SB507D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB507D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 130 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO220

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2SB507D datasheet

 8.1. Size:112K  mospec
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2SB507D

A A A

 8.2. Size:158K  jmnic
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2SB507D

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB507 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD313 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base

 8.3. Size:236K  lge
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2SB507D

2SB507(PNP) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=-1V(MAX)@IC=-2A,IB=-0.2A DC Current Gain hFE=40 320@IC=-1A Complementray to NPN 2SD313 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base V

 8.4. Size:221K  inchange semiconductor
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2SB507D

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB507 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SD313 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplif

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