2SB632F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB632F

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 90 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO126

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2SB632F datasheet

 8.1. Size:211K  jmnic
 2sb632 2sb632k.pdf pdf_icon

2SB632F

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB632 2SB632K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD612/612K High collector dissipation Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute max

 8.2. Size:171K  inchange semiconductor
 2sb632-k.pdf pdf_icon

2SB632F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB632 2SB632K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD612/612K High collector dissipation Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 B

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sb632.pdf pdf_icon

2SB632F

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB632 DESCRIPTION High Collector Current-I =-2.0A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-25V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD612 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low-frequency power amplifier applications ABSOLUTE

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