2SB633F Todos los transistores

 

2SB633F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB633F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SB633F datasheet

 8.1. Size:27K  sanyo
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2SB633F

Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec

 8.2. Size:160K  sanyo
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2SB633F

 8.3. Size:199K  jmnic
 2sb633.pdf pdf_icon

2SB633F

JMnic Silicon PNP Power Transistors 2SB633 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD613 High breakdown voltage VCEO=-85V High current IC=-6A APPLICATIONS Recommend for 25-35W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Tc=2

 8.4. Size:218K  inchange semiconductor
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2SB633F

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB633 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -85V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD613 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency 25 35 watts output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -1

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