2SB736BW1 Todos los transistores

 

2SB736BW1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB736BW1
   Código: BW1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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2SB736BW1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:183K  nec
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2SB736BW1

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2SB736BW1

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780A.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter

 8.3. Size:1127K  kexin
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2SB736BW1

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V

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History: BCP56-16T1 | DTD123TK

 

 
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