2N1612 Todos los transistores

 

2N1612 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1612
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 4.5 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO37
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N1612 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:665K  rca
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1612

 9.2. Size:51K  philips
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1612

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt

 9.3. Size:64K  central
 2n1613 2n1711 2n1893.pdf pdf_icon

2N1612

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:22K  semelab
 2n1616.pdf pdf_icon

2N1612

2N1616MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless

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History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311

 

 
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