2SB799MM Todos los transistores

 

2SB799MM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB799MM
   Código: MM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 160 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SB799MM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:212K  nec
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2SB799MM

 8.2. Size:1129K  kexin
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2SB799MM

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB7991.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)

 8.3. Size:385K  cn shikues
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2SB799MM

2SB799PNP-Silicon General use Transistors41W 1.5A25V ApplicationsCan be used for switching and amplifying in various 21 3electrical and electronic circuit. SOT-89 Maximum ratingsParameters Symbol Rating UnitMarking V VCEO 25Collector-emitter voltage (IB=0) 2SB799=HDVCBO 40 VCollector-base voltageIE=0 VEBO 6 VEmitter-base voltageIC=0

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History: 2SD301

 

 
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