2SB799MM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB799MM

Código: MM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT89

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2SB799MM datasheet

 8.1. Size:212K  nec
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2SB799MM

 8.2. Size:1129K  kexin
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2SB799MM

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB799 1.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)

 8.3. Size:385K  cn shikues
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2SB799MM

2SB799 PNP-Silicon General use Transistors 4 1W 1.5A 25V Applications Can be used for switching and amplifying in various 2 1 3 electrical and electronic circuit. SOT-89 Maximum ratings Parameters Symbol Rating Unit Marking V VCEO 25 Collector-emitter voltage (IB=0) 2SB799=HD VCBO 40 V Collector-base voltage IE=0 VEBO 6 V Emitter-base voltage IC=0

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