2SB803 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB803

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT89

 Búsqueda de reemplazo de 2SB803

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SB803 datasheet

 9.1. Size:211K  nec
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB803

 9.2. Size:222K  nec
 2sb804.pdf pdf_icon

2SB803

 9.3. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB803

 9.4. Size:1087K  kexin
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB803

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB800 1.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage VCEO>-80V Complement to 2SD1001 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SB799MM, 2SB80, 2SB800, 2SB800FK, 2SB800FL, 2SB800FM, 2SB801, 2SB802, A1941, 2SB804, 2SB804AU, 2SB804AV, 2SB804AW, 2SB805, 2SB805KK, 2SB805KL, 2SB805KM