2N1615 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1615
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO5
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2N1615 datasheet
2n1613.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1613 NPN medium power transistor 1997 Apr 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1613 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 emitt
2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n1616.pdf
2N1616 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO 61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO 61 Metal Package. Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C unless
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History: BC282 | LBC846BWT1G | DXT458P5 | SE9402 | H772 | ZT81 | CPH6539
History: BC282 | LBC846BWT1G | DXT458P5 | SE9402 | H772 | ZT81 | CPH6539
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