2N1617 Todos los transistores

 

2N1617 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1617
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO61
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N1617 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  semelab
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2N1617

2N1617MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless

 9.1. Size:665K  rca
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2N1617

 9.2. Size:51K  philips
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2N1617

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt

 9.3. Size:64K  central
 2n1613 2n1711 2n1893.pdf pdf_icon

2N1617

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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History: 2SC2338 | GME9002 | KT602B | BUL54BFI | 2N3509CSM | 2N926 | DTA114YET1G

 

 
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