2SB985T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB985T
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 39 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO92
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2SB985T datasheet
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors TO-92MOD 2SB985 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Power Supplies, Relay Drivers, Lamp Drivers 2. COLLECTOR Adoption of FBET,MBIT Processes Low Saturation Voltage 3. BASE Large Current Capacity and Wide ASO Equivalent Circuit B985=Device code B985 Solid dot = Green moldin
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2SB985 TO-92MOD Transistor (PNP) 1. EMITTER TO-92MOD 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE Features 5.800 Power supplies, relay drivers, lamp drivers 6.200 Adoption of FBET,MBIT processes Low saturation voltage 8.400 8.800 Large current capacity and wide ASO 0.900 1.100 0.400 0.600 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 13.800 14.200 Symbol Parameter Va
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2SB985 PNP General Purpose Transistors P b Lead(Pb)-Free 1 2 3 1.EMITTER 3.BASE 2.COLLECTOR TO-92MOD MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage -50 VCEO V VCBO Collector-Base Voltage V -60 VEBO Emitter-Base Voltage V -6.0 IC Collector Current - Continuous -3.0 mA Total Device Dissipation PD 0.9 mW TA=25 C Tj C Junction Temperatur
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History: 2SB1112 | ED1602D
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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