2SC1030B Todos los transistores

 

2SC1030B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC1030B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 12 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO3

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2SC1030B datasheet

 7.1. Size:44K  jmnic
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2SC1030B

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 8.1. Size:453K  sony
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2SC1030B

 8.2. Size:181K  inchange semiconductor
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2SC1030B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

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History: 2N6187 | CHDTA114EUGP | CHDTA114EEGP | CHDTA123YEGP | CHDTA114WKGP | 2SC3038 | BC508FC

 

 

 

 

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