2SC1060A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1060A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO218
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2SC1060A datasheet
2sc1060.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1060 DESCRIPTION With TO-220 package Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators DC-DC convertor General purpose power amplifiers A
2sc1061.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1061 DESCRIPTION With TO-220 package Low saturation voltage Complement to type 2SA671 Note type 2SC1060 with short pin APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum rat
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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