2SC1061K Todos los transistores

 

2SC1061K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1061K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SC1061K datasheet

 7.1. Size:110K  mospec
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2SC1061K

A A A

 7.2. Size:206K  jmnic
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1061K

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1061 DESCRIPTION With TO-220 package Low saturation voltage Complement to type 2SA671 Note type 2SC1060 with short pin APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum rat

 7.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1061K

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1061 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0(V)(Max)@ I = 2A CE(sat) C DC Current Gain- h = 35-320 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA671 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: 2SA68 | CEN-U10

 

 

 


 
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