2SC1062 Todos los transistores

 

2SC1062 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1062
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1062 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:110K  mospec
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1062

AAA

 8.2. Size:46K  no
 2sc1060.pdf pdf_icon

2SC1062

 8.3. Size:206K  jmnic
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1062

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SC1061 DESCRIPTION With TO-220 package Low saturation voltage Complement to type 2SA671 Note: type 2SC1060 with short pin APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum rat

 8.4. Size:216K  inchange semiconductor
 2sc1061.pdf pdf_icon

2SC1062

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1061DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-:V = 1.0(V)(Max)@ I = 2ACE(sat) CDC Current Gain-: h = 35-320 @ I = 0.5AFE CComplement to Type 2SA671Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low frequency power amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: KTC3880Y | CMBT8050C | 2SC4061 | 2SA2059 | BC846 | DC8550D | 2SB398

 

 
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