2SC1089B Todos los transistores

 

2SC1089B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1089B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: X104-1
 

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2SC1089B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  toshiba
 2sc108a 2sc109a.pdf pdf_icon

2SC1089B

 8.2. Size:154K  jmnic
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2SC1089B

JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC1079 2SC1080 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SA679/680 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMET

 8.3. Size:122K  inchange semiconductor
 2sc1079 2sc1080.pdf pdf_icon

2SC1089B

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1079 2SC1080 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SA679/680 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=

 8.4. Size:182K  inchange semiconductor
 2sc1080.pdf pdf_icon

2SC1089B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1080DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh power dissipation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 110 VCBO

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History: DDTD133HC

 

 
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