2SC1172B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1172B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC1172B
2SC1172B Datasheet (PDF)
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NPN TRIPLE DIFFUSED2SC1172 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS (No Damper Diode) TO-3 High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector
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JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1172 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For use in color TV horizontal output applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME
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INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1172DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol
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History: 2SA1072
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Liste
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