2SC1172B Todos los transistores

 

2SC1172B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1172B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1172B Datasheet (PDF)

 7.1. Size:69K  wingshing
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2SC1172B

NPN TRIPLE DIFFUSED2SC1172 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS (No Damper Diode) TO-3 High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector

 7.2. Size:143K  jmnic
 2sc1172.pdf pdf_icon

2SC1172B

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1172 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For use in color TV horizontal output applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME

 7.3. Size:176K  inchange semiconductor
 2sc1172.pdf pdf_icon

2SC1172B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1172DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

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History: 2SB617 | 2SD590 | 2SB296 | 2SB426B | 3DD831 | XA112 | INA6002AC1

 

 
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