2N1659-13 Todos los transistores

 

2N1659-13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1659-13

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO13

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2N1659-13 datasheet

 9.1. Size:331K  general electric
 2n165.pdf pdf_icon

2N1659-13

 9.2. Size:2260K  cn scilicon
 sfp085n165c3 sfb082n165c3.pdf pdf_icon

2N1659-13

SFP085N165C3, SFB082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m , 120A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Teste

 9.3. Size:10885K  cn scilicon
 sfw082n165c3.pdf pdf_icon

2N1659-13

SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m , 120A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) 7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalan

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History: 2N1834 | 2N1676 | 2N163

 

 

 


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