2N1659-13 Todos los transistores

 

2N1659-13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1659-13
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO13
 

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2N1659-13 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:331K  general electric
 2n165.pdf pdf_icon

2N1659-13

 9.2. Size:2260K  cn scilicon
 sfp085n165c3 sfb082n165c3.pdf pdf_icon

2N1659-13

SFP085N165C3, SFB082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Teste

 9.3. Size:10885K  cn scilicon
 sfw082n165c3.pdf pdf_icon

2N1659-13

SFW082N165C3 N-MOSFET 165V, 7.5m, 120AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS165V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on)7.5m Qualified according to JEDEC criteria ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalan

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History: KT601A | UN412Y | 2SB380B | BD844 | 2SA973 | 2SB237

 

 
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