2SC135 Todos los transistores

 

2SC135 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC135
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SC135 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:55K  panasonic
 2sc1359 e.pdf pdf_icon

2SC135

Transistor2SC1359Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SA8385.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector t

 0.2. Size:52K  panasonic
 2sc1359.pdf pdf_icon

2SC135

Transistor2SC1359Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SA8385.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector t

 0.3. Size:112K  mospec
 2sc1358.pdf pdf_icon

2SC135

AAA

 0.4. Size:178K  inchange semiconductor
 2sc1358.pdf pdf_icon

2SC135

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1358DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor large screen color deflection circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collecto

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History: D7ST4517 | BF342

 

 
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