2SC1355 Todos los transistores

 

2SC1355 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1355
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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2SC1355 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:55K  panasonic
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2SC1355

Transistor2SC1359Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SA8385.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector t

 8.2. Size:52K  panasonic
 2sc1359.pdf pdf_icon

2SC1355

Transistor2SC1359Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SA8385.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector t

 8.3. Size:112K  mospec
 2sc1358.pdf pdf_icon

2SC1355

AAA

 8.4. Size:178K  inchange semiconductor
 2sc1358.pdf pdf_icon

2SC1355

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1358DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor large screen color deflection circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collecto

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History: BUX82-5 | 2SA1577W | GS100C | 2SC2180 | BF159 | KRA566U

 

 
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