2N1685 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1685
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO46
- Selección de transistores por parámetros
2N1685 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1679 , 2N167A , 2N168 , 2N1680 , 2N1681 , 2N1682 , 2N1683 , 2N1684 , 2SC828 , 2N168A , 2N169 , 2N1690 , 2N1691 , 2N1692 , 2N1693 , 2N1694 , 2N1699 .
History: AF284VI | MBT3904DW1T3G | 2N424 | RT1P136M | 2SC2929 | 2N1454
History: AF284VI | MBT3904DW1T3G | 2N424 | RT1P136M | 2SC2929 | 2N1454



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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