2SC168 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC168

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO18

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2SC168 datasheet

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2SC168

Transistor 2SC1688 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Small common emitter reverse transfer capacitance Cre. High transition frequency fT. Center at the emitter pin. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 50 V 1.27 1.27

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