2SC1686 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1686
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 275 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 26
Paquete / Cubierta: TO92
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2SC1686 Datasheet (PDF)
2sc1688 e.pdf

Transistor2SC1688Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesSmall common emitter reverse transfer capacitance Cre.High transition frequency fT.Center at the emitter pin.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 50 V1.27 1.27
Otros transistores... 2SC168 , 2SC1680 , 2SC1681 , 2SC1682 , 2SC1683 , 2SC1683A , 2SC1684 , 2SC1685 , BC558 , 2SC1687 , 2SC1688 , 2SC1689 , 2SC169 , 2SC1698 , 2SC16A , 2SC17 , 2SC170 .
History: PDTD113EK | 2SC2834



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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