2SC1686 Todos los transistores

 

2SC1686 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1686
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 275 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 26
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1686 Datasheet (PDF)

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Transistor2SC1688Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesSmall common emitter reverse transfer capacitance Cre.High transition frequency fT.Center at the emitter pin.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 50 V1.27 1.27

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History: BDW93 | DST847BDJ | 2SB736AR | 2SC2734 | 2N3927 | BCW31LT3 | 2SC3353

 

 
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