2SC1726 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1726
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 17 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 600 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO128
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2SC1726 datasheet
2sc1723.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1723 DESCRIPTION Silicon NPN triple diffused LTP High breakdown voltage Large collector dissipation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency high voltage power amplifier TV power supply drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: NSVBC850CLT1G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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