2SC2078C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2078C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2078C
2SC2078C Datasheet (PDF)
2sc2078.pdf
Ordering number:EN462ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC207827MHz RF Power Amplifier ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2010C[2SC2078]1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 80 VCollector-to-Emitter Voltage VCE
2sc2078b 2sc1815c 2sc1815d 2sc1815e.pdf
2SC2078Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTIONB FSEATINGT PLANEC 4Designed primarily for SSB linear powerTSamplifier applicationsAQ1 2 3HFEATURESUKZ Specified 12.5V, 27MHz CharacteristicsL PO = 4W PEPV ft = 200 MHzSTYLE 1:RGPIN 1. BASE2. COLLECTORJD3. EMITTERN4. COLLECTORDIMENSIONSUNIT A B C D F G H J K L N Q R
2sc2078.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2078 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- :VCER= 75V(Min) ;RBE=150 Collector Current- :IC=3A APPLICATIONS 27MHz RF Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 80 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE=15
Otros transistores... 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , TIP127 , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 , 2SA1815-5 , 2SA182 , 2SA1822 , 2SA183 .
