2SC221 Todos los transistores

 

2SC221 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC221

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2SC221 datasheet

 0.1. Size:267K  toshiba
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2SC221

2SC2216,2SC2717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2216,2SC2717 TV Final Picture IF Amplifier Applications Unit mm High gain Gpe = 33dB (typ.) (f = 45 MHz) Good linearity of h . FE Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit 2SC2216 50 Collector-base voltage VCBO V 2SC2717 30 2SC2216 45 Collector-emitter VCEO

 0.2. Size:73K  sanyo
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2SC221

 0.3. Size:251K  secos
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2SC221

2SC2216 0.05 A , 50 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Amplifier dissipation NPN Silicon G H Base Emitter Collector J A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 K C 12.70 - D 3.30 3.81 E 0.36 0.56 F 0.36 0.51 E C F

 0.4. Size:234K  lge
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2SC221

2SC2216(NPN) TO-92 Bipolar Transistors 1. BASE TO-92 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Amplifier dissipation NPN Silicon MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V Dimensions in inches and (millimeters) IC Collector Current -Continuo

Otros transistores... 2SC2200 , 2SC2204 , 2SC2205 , 2SC2206 , 2SC2207 , 2SC2208 , 2SC2208H , 2SC2209 , TIP2955 , 2SC2210 , 2SC2210C , 2SC2210D , 2SC2210E , 2SC2210F , 2SC2212 , 2SC2213 , 2SC2214 .

 

 

 

 

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