2SC2210 Todos los transistores

 

2SC2210 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2210

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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2SC2210 datasheet

 ..1. Size:73K  sanyo
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2SC2210

 8.1. Size:267K  toshiba
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2SC2210

2SC2216,2SC2717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2216,2SC2717 TV Final Picture IF Amplifier Applications Unit mm High gain Gpe = 33dB (typ.) (f = 45 MHz) Good linearity of h . FE Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit 2SC2216 50 Collector-base voltage VCBO V 2SC2717 30 2SC2216 45 Collector-emitter VCEO

 8.2. Size:251K  secos
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2SC2210

2SC2216 0.05 A , 50 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Amplifier dissipation NPN Silicon G H Base Emitter Collector J A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 K C 12.70 - D 3.30 3.81 E 0.36 0.56 F 0.36 0.51 E C F

 8.3. Size:234K  lge
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2SC2210

2SC2216(NPN) TO-92 Bipolar Transistors 1. BASE TO-92 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Amplifier dissipation NPN Silicon MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V Dimensions in inches and (millimeters) IC Collector Current -Continuo

Otros transistores... 2SC2204 , 2SC2205 , 2SC2206 , 2SC2207 , 2SC2208 , 2SC2208H , 2SC2209 , 2SC221 , BC549 , 2SC2210C , 2SC2210D , 2SC2210E , 2SC2210F , 2SC2212 , 2SC2213 , 2SC2214 , 2SC2215 .

 

 

 


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