2SC2310R Todos los transistores

 

2SC2310R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2310R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC2310R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:41K  hitachi
 2sc2310 2sc458.pdf pdf_icon

2SC2310R

2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit

 8.1. Size:85K  sanyo
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2310R

 8.2. Size:72K  sanken-ele
 2sc2315 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2310R

 8.3. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2310R

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

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History: NSBC123TF3 | RN1114F | 2SC3647T-TD-E | DT4120 | GC300 | BC848CLT1 | RCA9229C

 

 
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