2SC2314F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2314F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO126

 Búsqueda de reemplazo de 2SC2314F

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SC2314F datasheet

 7.1. Size:85K  sanyo
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2314F

 7.2. Size:194K  inchange semiconductor
 2sc2314.pdf pdf_icon

2SC2314F

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 75V(Min) ;R =150 CER BE Collector Current- I =1.5A C Low Saturation Voltage V =0.6V(MAX)@ IC=0.5A CE(sat) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 8.1. Size:41K  hitachi
 2sc2310 2sc458.pdf pdf_icon

2SC2314F

2SC458 (LG), 2SC2310 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC458 (LG), 2SC2310 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 Unit Collector to base voltage VCBO 30 55 V Collector to emitter voltage VCEO 30 50 V Emit

 8.2. Size:72K  sanken-ele
 2sc2315 2sc2316.pdf pdf_icon

2SC2314F

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SC2310O, 2SC2310R, 2SC2311, 2SC2312, 2SC2313, 2SC2314, 2SC2314D, 2SC2314E, B772, 2SC2315, 2SC2316, 2SC2316O, 2SC2316Y, 2SC2317, 2SC2318, 2SC2319, 2SC232