2SC2463E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2463E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 115 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 350

Encapsulados: TO236

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2SC2463E datasheet

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2SC2463E

2SC2463 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline MPAK 3 1 1. Emitter 2. Base 2 3. Collector 2SC2463 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 55 V Collector to emitter voltage VCEO 50 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 100 mA Collector power dissipation PC 150 mW Junction temper

 7.2. Size:324K  kexin
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2SC2463E

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC2463 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 55 Colle

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 8.2. Size:36K  hitachi
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