2SC2463E Todos los transistores

 

2SC2463E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2463E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 115 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
   Paquete / Cubierta: TO236
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC2463E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:24K  hitachi
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2SC2463E

2SC2463Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency amplifierOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC2463Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 55 VCollector to emitter voltage VCEO 50 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 100 mACollector power dissipation PC 150 mWJunction temper

 7.2. Size:324K  kexin
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2SC2463E

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2463SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=50V 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 55 Colle

 8.1. Size:135K  toshiba
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 8.2. Size:36K  hitachi
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History: 2SC6126 | DTC143ZET1G | 2SC4693 | KA4L3M | BFQ268 | KT502B | BD678G

 

 
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