2SC249 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC249

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 85 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO5

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2SC249 datasheet

 0.1. Size:359K  toshiba
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2SC249

2SC2498 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2498 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 30 V Collector-emitter voltage VCEO 20 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Collector current IC 50 mA Base current IB 25 mA Collector power dissipation PC 300

 0.2. Size:70K  panasonic
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2SC249

Power Transistors 2SC2497, 2SC2497A Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For low-frequency power amplification 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 Complementary to 2SA1096 and 2SA1096A 3.16 0.1 Features High collector to emitter voltage VCEO TO-126B package which requires no insulation plate for installa- tion to the heat sink Absolute Maximum Ratings TC = 25 C Parameter

 0.3. Size:123K  inchange semiconductor
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2SC249

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2497 2SC2497A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1096/A High collector to emitter voltage VCEO APPLICATIONS For low-frequency power amplification PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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