2SC2547 Todos los transistores

 

2SC2547 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2547

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 45 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: TO92

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2SC2547 datasheet

 ..1. Size:41K  hitachi
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2SC2547

2SC2545, 2SC2546, 2SC2547 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1083, 2SA1084 and 2SA1085 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC2545, 2SC2546, 2SC2547 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC2545 2SC2546 2SC2547 Unit Collector to base voltage VCBO 60 90 120 V Collector to emitter

 8.1. Size:24K  hitachi
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2SC2547

2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SA1025, 2SA1081 and 2SA1082 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC2396 2SC2543 2SC2544 Unit Collector to base voltage VCBO 60 90 120 V Collector to emitter voltage V

 8.2. Size:246K  inchange semiconductor
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2SC2547

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2541 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 8.3. Size:171K  inchange semiconductor
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