2SC2593 Todos los transistores

 

2SC2593 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2593

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.14 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 500

Encapsulados: TO92

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2SC2593 datasheet

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2SC2593

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2SC2593

Power Transistors 2SC2590 Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification Unit mm 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 3.16 0.1 Features Excellent collector current IC characteristics of forward current transfer ratio hFE High transition frequency fT TO-126B package which requires no insulation plate for installa- tion to the heat sink Absolute

 8.3. Size:62K  no
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 8.4. Size:114K  jmnic
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2SC2593

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC2591 2SC2592 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA1111/1112 Good linearity of hFE High VCEO APPLICATIONS For audio frequency, high power amplifiers application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Fig.1 simplified outline (TO-

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