2SC2670O Todos los transistores

 

2SC2670O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2670O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC2670O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:349K  toshiba
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2SC2670O

2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter v

 8.1. Size:255K  1
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2SC2670O

 8.2. Size:120K  rohm
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2SC2670O

 8.3. Size:41K  panasonic
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2SC2670O

Transistor2SC2671(F)Silicon NPN epitaxial planer typeFor UHF band low-noise amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesLow noise figure NF.High gain.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 15 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCER* 14 VE

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History: SS109 | 2SB1184R | SS126 | 2SC1030C | NESG204619 | 2SC752TM | BF241

 

 
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