2SC2681 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2681
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 115 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
Paquete / Cubierta: TO3PN
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2SC2681 Datasheet (PDF)
2sc2681.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2681DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 115V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1141Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifierHigh frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Otros transistores... 2SC2675 , 2SC2676 , 2SC2677 , 2SC2678 , 2SC2679 , 2SC267A , 2SC268 , 2SC2680 , BC557 , 2SC2682 , 2SC2682O , 2SC2682Y , 2SC2684 , 2SC2685 , 2SC2687 , 2SC2688 , 2SC2688G .
History: BUF646 | BLY12 | 2SD478 | NSVMUN5211DW1T3G | DMC56103 | BCW66GLT1G | TN5449
History: BUF646 | BLY12 | 2SD478 | NSVMUN5211DW1T3G | DMC56103 | BCW66GLT1G | TN5449



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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