2SC2690R Todos los transistores

 

2SC2690R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2690R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SC2690R

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2690 DESCRIPTION High voltage and high fT Complementary to 2SA1220 PNP transistor 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS The 2SC2690 is general purpose transistors designed For use in audio and radio frequency power amplifiers. Suitable... See More ⇒

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2SC2690R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2690 2SC2690A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS For use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CON... See More ⇒

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History: 2N4995 | 2SA1704

 

 
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