2SC2693 Todos los transistores

 

2SC2693 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2693
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 28 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: MD34
 

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2SC2693 datasheet

 8.1. Size:35K  no
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2SC2693

 8.2. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC2693

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2690 DESCRIPTION High voltage and high fT Complementary to 2SA1220 PNP transistor 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS The 2SC2690 is general purpose transistors designed For use in audio and radio frequency power amplifiers. Suitable

 8.3. Size:151K  inchange semiconductor
 2sc2690 2sc2690a.pdf pdf_icon

2SC2693

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2690 2SC2690A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS For use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CON

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History: FJAF6806D

 

 

 


 
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