2SC2716R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2716R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO236
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2SC2716R datasheet
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2SC2716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2716 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter v
2sc2716.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC2716 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=100mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=30V +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 35 Collect
2sc2716.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2716 DESCRIPTION High Power Gain- Gp 12dB,f= 27MHz, PO= 16W High Reliability APPLICATIONS Designed for RF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emit
Otros transistores... 2SC2714R , 2SC2714Y , 2SC2715 , 2SC2715O , 2SC2715R , 2SC2715Y , 2SC2716 , 2SC2716O , A42 , 2SC2716Y , 2SC2717 , 2SC2718 , 2SC2719 , 2SC272 , 2SC2720 , 2SC2721 , 2SC2722 .
History: H1015
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