2SC2722 Todos los transistores

 

2SC2722 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2722
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: MT-200
 

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2SC2722 Datasheet (PDF)

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2SC2722

 8.2. Size:107K  nec
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2SC2722

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC2721NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltagePT = 1 W, VCEO = 60 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60

 8.3. Size:187K  inchange semiconductor
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2SC2722

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh Reliability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLU

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