2SC2726 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2726
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO117
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2SC2726 datasheet
2sc2721.pdf
DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC2721 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Complementary transistor with 2SA1154 High PT in small dimension and high voltage PT = 1 W, VCEO = 60 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60
2sc2723.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2723 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed High Reliability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLU
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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