2SC2751O Todos los transistores

 

2SC2751O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2751O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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2SC2751O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:216K  inchange semiconductor
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2SC2751O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2751DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current switching industrialapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 8.1. Size:307K  toshiba
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2SC2751O

2SC2753 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2753 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mm Low noise figure, high gain NF = 1.5dB, |S |2 = 16dB (f = 500 MHz) 21e NF = 1.7dB, |S |2 = 10.5dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 17 VCollector-emitter v

 8.2. Size:188K  nec
2sc2752.pdf pdf_icon

2SC2751O

 8.3. Size:200K  no
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2SC2751O

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History: 2SD1639 | 2SC2611 | MMBT4403W

 

 
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