2SC2757T32 Todos los transistores

 

2SC2757T32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2757T32
   Código: T32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO236
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC2757T32 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:338K  kexin
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2SC2757T32

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2757SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Collector Current Capability IC=50mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=15V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collec

 7.2. Size:1709K  cn shikues
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2SC2757T32

2SC2757TRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MARKING T33MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 5

 7.3. Size:183K  inchange semiconductor
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2SC2757T32

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC2757DESCRIPTIONLow NoiseHigh Current-Gain Bandwidth ProductMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in VHF RF amplifier, local oscillator, mixer.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 30 VCBO

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History: 2SC1026 | 2SB596Y | BSP62T1 | MP111 | 2N241A | CHT857BGP | BSY21

 

 
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